砷化镓检测

砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。

检测样品：砷化镓外延片、单晶、晶片、载流子等。

检测项目：外形尺寸、表面质量、偏离度检测、切口测试、电学性能检测、载流子浓度测试、电阻率检测、截面电阻率不均匀性、迁移率测试、位错密度、电学性能、导电类型、霍尔迁移率、电阻率检测、位错密度检测等。

GB/T 8757-2006 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法

GB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法

GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法

GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法

GB/T 11093-2007 液封直拉法砷化镓单晶及切割片

GB/T 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片

GB/T 20228-2021 砷化镓单晶

GB/T 25075-2010 太阳能电池用砷化镓单晶

SJ 3242-1989 砷化镓外延片

SJ 20714-1998 砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法

SJ/T 11497-2015砷化镓晶片热稳定性的试验方法

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