半导体失效分析

半导体失效分析指的是在半导体器件失效后，通过运用各种电学和物理测试，确定器件失效的形式（失效模式），分析造成器件失效的物理和化学过程（失效机理），寻找器件的失效原因，从而制订纠正和改进措施。br/>中科检测可提供半导体失效分析服务，评估半导体失效机理，出具的半导体失效分析报告具有CMA资质。

1）开路 (EOS、ESD、电迁移、应力迁移、腐蚀、键合点脱落、机械应力、热变应力)
2）短路（PN结缺陷、PN结穿钉、EOS、介质击穿、金属迁移）
3）参漂（氧化层电荷、表面离子、芯片裂纹、热载流子、辐射损伤）
4）功能失效（EOS、ESD） 实例一 浪涌损坏 样品为整流桥，在实验室做实验过程中，突然失效，有输入没输出，属于功能失效，主要原因是，浪涌损坏，主要是过大的电源电压使器件发生击穿，形成短路，造成大电流，导致整流桥内部电流过大，导致整流桥损坏。

1）目检
观察芯片表面沾污、裂纹、腐蚀，金属外壳绝缘子裂纹，镀层腐蚀、脱落，键合丝缺失、损伤、连接错误等。
2）电测试
测试器件功能、参数等。
3）X射线照相
用于检查键合金丝完整性，焊点与焊盘的焊接情况，密封区、粘片区的空洞问题。 4）超声扫描
超声波在物体中传播，遇到不同介质的交界面会发生反射，通过检测反射波来检测封装结构中的分层、空洞、裂纹等问题。
5）扫描电镜及能谱
观察失效样品的微观结构，鉴定化学成分等。
6）密封
通过粗检漏、细检漏判断器件气密性和漏率。
7）PIND
通过颗粒噪声检测器件内是否存在可动多余物。
8）内部气氛检测
测量密封器件内部水汽、氧气、二氧化碳等内部气氛的种类及含量。
9）红外成像
通过红外成像，观察芯片表面热点位置，判断是否存在击穿、短路等问题。

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